SJ 50033.12-1994 半导体分立器件.3DK209型功率开关晶体管详细规范

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中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,3DK209型功率开关晶体管详细规范,SJ 50033/12-94,1范围,1.1 主题内容,本规范规定了 3DK2。9A.I型NPN硅功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按,GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GE和GCT级),1.2 外形尺寸,外形尺寸应按GB 7581《半导体分立器件外形尺寸》的B2-O1C型及如下规定(见图1);,1.3最大额定值,中华人民共和国电子工业部1994-09-30燮布1994-12-01 实施,sj 50033/12-94,型 号Tc =25C,(W) (V),CEX},(V),Ver0,(V),ム,(A),几,(A),心,CO,へ,CO,丒.,3DK2O9A 50 30,3DK2O9B 80 50,3DK209C no 80,3DK2O9D 150 no,3DK209E 200 200 150 6 15 5.0 175 -55-175,3DK209F 250 200,3DK209G 350 250,3DK209H 450 300,3DK 2091 500 350,注:1)n>25寸,按1333mW/C的速率线性地降额.,1-4主要电特性(T“=25'C),注:」)演K40各档,其误差不超过±20 % "加>40各档,其误差不超过±10%.,X极限值,型号、,んFEi ",ら 七 5 0V,Jc =7, 5A,^CE(?U ド BE (sac ん,n 厶7t,Vce = 10 V,k =1.0A,f= 3. 0MHz,(MHz),VcR =10V,/=0.1MHz,厶=0,(pF),匕:ヒニ25V,ム=2.アA,(C/W),ム=7, 5A,厶:0.75 A,(V),几==7. 5A,ん】丁0.75A,『出’=-0, 75A,(明),max max ヽ min max max,3DK209A-1 红15.25,橙25.40,黄イ0~55,绿55.80,蓝80.120,0. 8 1. 5 L0 2.5 0.5 8 1100 0, 75,2引用文件,GB 4587双极型晶体管测试カ法,GB 7581半导体分立器件外形尺寸,GJB 33 半导体分立器件总规范,GJB 128半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2 -1引出线材料和涂层,-2 —,SJ 50033/12-94,引出线材料应为翅伐,引出线表面应为锡层或镇层,对引出线涂层有选择要求时,在合同,或订货单中应予规定,3.3 标志,器件的标志应按GJB 33的规定,4质量保证规定,4.1 抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检脆应按GJB 33的规定,4.3 筛选(仅对GT和GCT级),器件的筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1的规定进行,超,过本规范表!规定极限值的器件应予剔除,?选,(见GJB33的表2),测 试,GT和GCT级,7.中间电舂数测试ん殴]和んFE1,8、功率老化见 4.3. 1,9、最后测试按本规范表1的.42分组:,"ck"式初始值的1。。%或25。%4,取較大者,其初始值的士20%,4.3 -1功率老化条件,功率老化条件如下:,% =162. 5± 12. 5 C,VCe =25V,rm>ioow0,4.4 质量一致性检验,质量一致性检验应按GJB 33的规定进行,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行,4 4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行,4.4.3 C组检验,C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行.,¢5检脸方法,检验方法应按本期范相应的表和下列规定,4.5 -1脉冲测试,脉冲测试应按GJB 128的3. 3.2. 1的规定,4. 5-2热阻,3 —,SJ 50033/12-94,热阻测试应按GB 4587的2.10和下列规定,a.加功率时的Ic —2. 7A(,b. VCE =25Vf,c.基灌温度测试点应为管壳;,d丒基准点温度范围为25eく般475。,实际温度应记录;,e.安装应带散热装置;,f. R個ゆ)的最大极限值应为O.75C/W,4. 5-3 C组寿命试验,C组寿命试验应按GJB 33和本规范的规定进行,4,5"恒定加速度,恒定加速度试验应按GJB 33和本规范的规定进行.,表1 A组检验,检验或试险,GB 4587,LTPD 符号,极限值,单位,方法?条 件min max,A1分组GJB 128 5,外观及机械检验2071,A2分组5,集电极ー发射极,本规范发射极一基极开路匕 BR)CEO,击穿电压附录A Ic —5mA,3DK209A 30 一V,3DK20 处50 V,3DK209C ■ 80 — V,3DK2O9D 110 ■— V,3DK2O9E 150 V,3DK209F 200 — V,3DK2O9G 250 - V,3DK209H 300 - V,3DK2O9I,炉(HR)EBO,350 V,发射极一基极2, 9, 2. 2 集电极一基板开路; 6 V,缶穿电压『e =5tnA,集电极一基极2.1 发射极一基极开路; 1am 一0.5 mA,截止电流Pai —匕bo,集电极一基极2.1.4 发射极一基极开路; ^CEt) 2o mA,截止电流,&E = '^-VceO,发射极……

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